Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 25, Numéro 6, juin 1990
Page(s) 475 - 479
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002506047500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 475-479 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002506047500

Détermination de la résistance d'une couche sur substrat non isolant

H. Luquet, L. Gouskov, M. Perotin, M. H. Archidi, F. Pascal et G. Bougnot

Centre d'Electronique de Montpellier, associé au CNRS, U.A. 391, Université des sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France


Abstract
In order to characterize epitaxial or implanted antimonide layers on conducting substrates, we propose a simple method for the determination of the layer resistance and we discuss the limits of its validity in the following conditions of conduction between the layer and the substrate : ohmic type, generationrecombinaison type.


Résumé
Dans le but de caractériser des couches d'antimoniures épitaxiées ou implantées mal isolées d'un substrat conducteur, nous avons été amenés à utiliser une méthode simple de détermination de la résistance de couche. Cette méthode est décrite ainsi que sa limite de validité en supposant une conduction ohmique ou régie par la génération-recombinaison entre la couche et le substrat.

PACS
7325 - Surface conductivity and carrier phenomena.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
gallium compounds -- III V semiconductors -- semiconductor epitaxial layers -- surface conductivity -- semiconductors -- ohmic type conduction -- epitaxial layers -- generation recombination conduction -- implanted layers -- layer resistance -- conducting substrates -- GaSb