Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 25, Numéro 6, juin 1990
Page(s) 481 - 488
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002506048100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 481-488 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002506048100

Relations between structural parameters and physical properties in CdTe and Cd0.96Zn0.04Te alloys

K. Guergouri, Y. Marfaing, R. Triboulet et A. Tromson-Carli

Laboratoire de Physique des Solides de Bellevue, C.N.R.S., 92195 Meudon, France


Abstract
Electrical measurements and photoluminescence experiments were performed on several CdTe and Cd0.96Zn0.04Te crystals with dislocation density in the range 5 x 104 - 6 × 105 cm-2. The observed variation in electron mobility has been interpreted in terms of scattering on space charge regions surrounding dislocations, a related reduction in the effective volume of the crystals, and excess scattering due to a non ideal alloy behaviour. The linewidth of the acceptor-bound exciton recombination line includes contributions due to alloy disorder and dislocations, the latter being enhanced in the alloys.


Résumé
Des mesures électriques et des expériences de photoluminescence ont été réalisées sur des cristaux de CdTe et de Cd0,96Zn0,04Te, de densité de dislocations variant entre 5 x 104 et 6 x 10 5 cm-2. La variation de la mobilité électronique a été interprétée en termes de : diffusion sur les régions de charge d'espace entourant les dislocations, réduction correspondante du volume effectif des cristaux, diffusion en excès dans les alliages due à leur caractère non idéal. La largeur de raie de recombinaison d'excitons liés à des accepteurs neutres se décompose en contributions associées au désordre d'alliage et aux dislocations, cette demière étant augmentée dans les alliages.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7855D - Photoluminescence in tetrahedrally bonded nonmetals.
7135 - Excitons and related phenomena.
6160 - Crystal structure of specific inorganic compounds.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- crystal atomic structure of inorganic compounds -- dislocations -- excitons -- II VI semiconductors -- luminescence of inorganic solids -- photoluminescence -- zinc compounds -- electrical measurements -- semiconductors -- carrier mobility -- carrier density -- structural parameters -- physical properties -- photoluminescence experiments -- dislocation density -- electron mobility -- scattering -- space charge regions -- effective volume -- non ideal alloy behaviour -- acceptor bound exciton recombination line -- alloy disorder -- CdTe -- Cd sub 0.96 Zn sub 0.04 Te