Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 25, Numéro 11, novembre 1990
Page(s) 1109 - 1111
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0199000250110110900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 1109-1111 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:0199000250110110900

Response to the comment on « EBIC contrast theory of dislocations: intrinsic recombination properties »

J.L. Farvacque et B. Sieber

Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, URA 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandre-Artois, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France


Abstract
We demonstrate, step by step, that the objections made by Donolato and Pasemann on the validity of calculations we have published in « EBIC contrast theory of dislocations : intrinsic recombination properties » are issued from a misunderstanding of our physical approach of the problem. On the opposite to what they claim in the abstract of their comment, the dislocation contrast is indeed equal to zero when the dislocation recombination activity vanishes.


Résumé
Nous démontrons, point par point, que les objections faites par Donolato et Pasemann sur la validité des calculs publiés dans l'article « Théorie EBIC du contraste des dislocations : propriétés de recombinaison intrinsèque » sont erronées et probablement dues à une incompréhension de notre approche physique du problème. En particulier, dans notre analyse, le contraste de la dislocation s'annule bien lorsque son activité électrique disparaît, contrairement à ce qu'ils affirment dans le résumé de leur commentaire.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6116D - Electron microscopy determinations of structures.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.

Key words
EBIC -- electron hole recombination -- EBIC contrast -- dislocations -- intrinsic recombination