| Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 21, Numéro 9, septembre 1986
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|---|---|---|
| Page(s) | 545 - 556 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01986002109054500 | |
References of Rev. Phys. Appl. (Paris) 21 545-556
- Rebiai, S., Influence des traitements technologiques sur la qualité et la tenue aux irradiations de la base de photopiles au silicium. Thèse de 3e Cycle. Toulouse, Décembre 1985.
- Tyagi, M.S., Nijs, J.F. et Van Overstraten, R.L., Solid State Electron. 25 (1982) 411. [CrossRef]
- Eränen, S. et Blomberg, M., J. Appl. Phys. 58 (1984) 2372.
- Boll, M., Tables numériques universelles (Edition Dunod) 1947.
- Shockley, W., Electrons and holes in semiconductors (DV. Nostrand, Company, INC) 1950, 318.
- Bielle-Daspet, D., Lagouin, M. et Therez, F., Proc. 5e E. C. Photovoltaïc Conf. (Reidel Ed.), 1983, 131.