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OMVPE growth of gallium indium phosphide on the {100} gallium arsenide using adduct compounds

Shigekazu Minagawa, Hitoshi Nakamura and Hisumi Sano
Journal of Crystal Growth 71 (2) 377 (1985)
https://doi.org/10.1016/0022-0248(85)90094-6

Composition profiles and growth kinetics of GaxIn1−xP LPE layers: Experiments and theoretical approach

H. Mariette, V. Thierry-Mieg, A. Etcheberry, et al.
Journal of Crystal Growth 53 (2) 413 (1981)
https://doi.org/10.1016/0022-0248(81)90091-9

Growth and electrical properties of liquid phase epitaxial layers of GaxIn1‐xP lattice‐matched to GaAs substrates

J. Penndorf, G. Kühn, H. Neumann and A. Müller
Kristall und Technik 15 (2) 169 (1980)
https://doi.org/10.1002/crat.19800150207

Luminescence and direct experimental observations of band-structure effects in nitrogen-doped GaxIn1−xP alloys

H. Mariette and J. Chevallier
Journal of Applied Physics 48 (3) 1200 (1977)
https://doi.org/10.1063/1.323759