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Article cité :

A model of the leakage current in n-channel silicon-on-sapphire most's

P. Gentil

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 12 (1978) 609-613

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012060900

Citations de cet article :

Silicon films on sapphire

S Cristoloveanu
Reports on Progress in Physics 50 (3) 327 (1987)
https://doi.org/10.1088/0034-4885/50/3/002

A Method to Determine the Density of Surface States and Interfacial Charge Density in N-Channel Sos Mosfet's

N.K. Annamalai and A.N. Khondker
MRS Proceedings 53 (1985)
https://doi.org/10.1557/PROC-53-413

Le matériau silicium sur saphir en France. Revue des propriétés physico-chimiques et électriques

S. Cristoloveanu, G. Ghibaudo and G. Kamarinos
Revue de Physique Appliquée 19 (2) 161 (1984)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001902016100

Non-homogeneous electrical transport through silicon-on-sapphire thin films: Evidence of the internal stress influence

Jong-Hyun Lee, Sorin Cristoloveanu and Alain Chovet
Solid-State Electronics 25 (9) 947 (1982)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(82)90186-1