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Article cité :

On the influence of recombination centers on the electrical performance of silicon power rectifiers

M. Derdouri, A. Muñoz-Yagüe

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 12 (1978) 729-732

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012072900

Citations de cet article :

Silicon ultrafast recovery diode with leakage current reduced via the combined lifetime process of gold diffusion and electron-beam irradiation

Hideto Onishi and Hajime Shirai
Semiconductor Science and Technology 39 (1) 015011 (2024)
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad14ec