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Article cité :

Trap characterization in S. O. S. - M. O. S. transistors using noise measurements

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Citations de cet article :

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Noise contribution of the body resistance in partially-depleted SOI MOSFETs

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Silicon films on sapphire

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Excess noise level in MOS structures without straight-through macrodefects in the dielectric

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Analysis of channel noise and threshold voltage in sos-MOS transistors in the temperature range of 77–300 K

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Thermally Stimulated Relaxation in Solids

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