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Article cité :

Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs

B. Balland

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DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001305023200

Citations de cet article :

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NECM: free carrier profilometry in semiconductors in the presence of high trap density by non-equilibrium capacitance measurements

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On the carrier emission from donor-related centres in GaAs1-xPx and AlxGa1-xAs

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Sn-X centers in GaAlAs thin layer emitters

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X-Y plotter capacitance meter interface for deep level spectroscopy

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Degradation of light-emitting diodes (Review)

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Donor-levels analysis in GaAlAs double heterostructure

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Vieillissement accéléré et dégradation des diodes électroluminescentes à double hétérostructure (GaAl)As-GaAs

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Incorporation de l'aluminium, du phosphore et du zinc dans les hétérojonctions AlxGa1-xPyAs 1-y-GaAs réalisées par épitaxie en phase liquide

L. Mayet, M. Gavand and A. Laugier
Revue de Physique Appliquée 14 (1) 223 (1979)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01979001401022300