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Article cité :

Growth mechanism of amorphous silicon by evaporation containing hydrogen from radio-frequency discharge

Da-Wen Pang, Shu-Fan Cui, Zhen-Hong Mai and Joseph H. Chen
Journal of Applied Physics 61 (3) 1168 (1987)
https://doi.org/10.1063/1.338162

Evaporated a-Si films with low ESR defect density by hydrogenation under NH3 ambient

L. Kubler, J.J. Koulmann, R. Haug and A. Jaéglé
Solid State Communications 48 (1) 61 (1983)
https://doi.org/10.1016/0038-1098(83)90184-9