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Article cité :

Application des méthodes de fonction de Green aux défauts dans les semiconducteurs

J.N. Decarpigny

Rev. Phys. Appl. (Paris), 15 3 (1980) 661-669

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001503066100

Citations de cet article :

Breakdown of coherence in Kondo alloys: crucial role of concentration versus band filling

Sébastien Burdin and Claudine Lacroix
Journal of Physics: Condensed Matter 31 (39) 395601 (2019)
https://doi.org/10.1088/1361-648X/ab2701

Towards a full microscopic approach to the modeling of transistors with nanometer dimensions

Marc Bescond, Michel Lannoo, Didier Goguenheim and Jean-Luc Autran
Journal of Non-Crystalline Solids 322 (1-3) 160 (2003)
https://doi.org/10.1016/S0022-3093(03)00197-2

Atomic configuration and electronic properties of the metastable state of theEL2 center in GaAs

C. Delerue and M. Lannoo
Physical Review B 38 (6) 3966 (1988)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.3966

Generalization of the Green's-functions formalism to nonorthogonal orbitals: Application to amorphous SiO2

D. Lohez and M. Lannoo
Physical Review B 27 (8) 5007 (1983)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.27.5007