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Article cité :

Optimisation des conditions d'élaboration du silicium photovoltaïque par fusion de zone sous plasma

J. Amouroux, D. Morvan, C. Sauvestre, G. Revel, M. Fedoroff, J.C. Rouchaud

Rev. Phys. Appl. (Paris), 15 7 (1980) 1239-1249

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019800015070123900

Citations de cet article :

Chapter 8 Analysis of electronic and solar grade silicon by atomic emission spectroscopy from inductively coupled plasma

D. Morvan, J. Amouroux and P. Claraz
Progress in Crystal Growth and Characterization 8 (1-2) 175 (1984)
https://doi.org/10.1016/0146-3535(84)90077-7

Elimination du bore dans le silicium par fusion de zone sous plasma inductif haute fréquence : rôle des plasmas réactifs et du laitier. Caractérisation du silicium photovoltaïque

D. Morvan, J. Amouroux, M. C. Charpin and H. Lauvray
Revue de Physique Appliquée 18 (4) 239 (1983)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001804023900