n ITO/p InP : a photo and electroluminescent diode
Rev. Phys. Appl. (Paris), 17 3 (1982) 125-132
Article cité par
La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).
Article cité :
Citations de cet article :
n‐SnOx as a Transparent Electrode and Heterojunction for p‐InP Nanowire Light Emitting Diodes
Nikita Gagrani, Kaushal Vora, Sonachand Adhikari, et al.Advanced Optical Materials 10 (11) (2022)
https://doi.org/10.1002/adom.202102690
Non-epitaxial carrier selective contacts for III-V solar cells: A review
Vidur Raj, Hark Hoe Tan and Chennupati JagadishApplied Materials Today 18 100503 (2020)
https://doi.org/10.1016/j.apmt.2019.100503
Indium phosphide based solar cell using ultra-thin ZnO as an electron selective layer
Vidur Raj, Tâmara Sibele dos Santos, Fiacre Rougieux, et al.Journal of Physics D: Applied Physics 51 (39) 395301 (2018)
https://doi.org/10.1088/1361-6463/aad7e3
Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications
Stephen J. FonashMetal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications 161 (1984)
https://doi.org/10.1007/978-1-4684-4655-5_4
Photodétecteurs à base de Ga1-x Alx Sb dans la gamme 1,3-1,6 μm
L. Gouskov, M. Boustani, G. Bougnot, et al.Revue de Physique Appliquée 18 (12) 781 (1983)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018012078100
Sprayed indium tin oxide layers: Optical parameters in the near-IR and evaluation of performance as a transparent antireflecting and conducting coating on GaSb or Ga1-xAlxSb for IR photodetection
I. Gouskov, J.M. Saurel, C. Gril, M. Boustani and A. OemryThin Solid Films 99 (4) 365 (1983)
https://doi.org/10.1016/0040-6090(83)90062-7
Fourth E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference
J. C. Manifacier, H. Luquet, L. Gouskov, et al.Fourth E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference 648 (1982)
https://doi.org/10.1007/978-94-009-7898-0_106
Electron diffusion lengths in p-type InP involved in indium tin oxide/p-InP solar cells
L. Gouskov, H. Luquet, L. Soonckindt, A. Oemry, M. Boustani and P. H. NguyenJournal of Applied Physics 53 (10) 7014 (1982)
https://doi.org/10.1063/1.330048
Interfacial properties of indium tin oxide/indium phosphide devices
P. Sheldon, R. K. Ahrenkiel, R. E. Hayes and P. E. RussellApplied Physics Letters 41 (8) 727 (1982)
https://doi.org/10.1063/1.93656