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Article cité :

Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal

Kazuya Uryu, Yuchen Deng, Son Phuong Le and Toshi-kazu Suzuki
AIP Advances 13 (7) (2023)
https://doi.org/10.1063/5.0147137

Electrical characterization of AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic metals by using multi-probe Hall devices

Kazuya Uryu, Shota Kiuchi and Toshi-kazu Suzuki
Applied Physics Letters 119 (2) (2021)
https://doi.org/10.1063/5.0054553

Analysis of effective mobility and hall effect mobility in high-k based In0.75Ga0.25As metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors

M. A. Negara, D. Veksler, J. Huang, et al.
Applied Physics Letters 99 (23) (2011)
https://doi.org/10.1063/1.3665033

Heterostructures on Silicon: One Step Further with Silicon

G. Kamarinos, G. Ghibaudo, D. Tsamakis, C. Papatriantafillou and E. Rokofillou
Heterostructures on Silicon: One Step Further with Silicon 303 (1989)
https://doi.org/10.1007/978-94-009-0913-7_33

High-temperature behaviour of heavily doped SOS films

D Tsamakis, E Rocofyllou, C Papatriantafillou, G Ghibaudo and G Kamarinos
Journal of Physics C: Solid State Physics 20 (9) 1285 (1987)
https://doi.org/10.1088/0022-3719/20/9/017

Le matériau silicium sur saphir en France. Revue des propriétés physico-chimiques et électriques

S. Cristoloveanu, G. Ghibaudo and G. Kamarinos
Revue de Physique Appliquée 19 (2) 161 (1984)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001902016100

Evidence of mobility edge in degenerate SOS films

G Ghibaudo, D Tsamakis, C Papatriantafillou, G Kamarinos and E Rokofillou
Journal of Physics C: Solid State Physics 16 (22) 4479 (1983)
https://doi.org/10.1088/0022-3719/16/22/020