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Article cité :

Shallow p-type layers in InP by Hg implantation

P. N. Favennec, H. L’Haridon, J. M. Roquais, M. Salvi, X. Le Cleach and L. Gouskov
Applied Physics Letters 48 (2) 154 (1986)
https://doi.org/10.1063/1.96981

Determination of implanted electrical profiles by a microwave contactless method: Application to selenium implantation in semi-insulating InP

M. Bellec, X. Le Cleac'h, P.N. Favennec and H. L'Haridon
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 209-210 629 (1983)
https://doi.org/10.1016/0167-5087(83)90859-1