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Effective masses in Sn-doped Ga1−xAlxAs (x<0.33) determined by the Shubnikov–de Haas effect
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Characterization of GaAs films grown by metalorganic chemical vapor deposition
V. Swaminathan, D. L. Van Haren, J. L. Zilko, P. Y. Lu and N. E. Schumaker Journal of Applied Physics 57(12) 5349 (1985) https://doi.org/10.1063/1.334854
Photoluminescence and electrical properties of close space vapor transport GaAs epitaxial layers
J. Mimila-Arroyo, R. Legros, J. C. Bourgoin and F. Chavez Journal of Applied Physics 58(9) 3652 (1985) https://doi.org/10.1063/1.335749