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Effects of thermal annealing onn-type GaAs:V grown by MOCVD

A Bchetnia, A Rebey, J L Fave, J C Bourgoin and B El Jani
Journal of Physics D: Applied Physics 39 (7) 1337 (2006)
https://doi.org/10.1088/0022-3727/39/7/002

Effective masses in Sn-doped Ga1−xAlxAs (x<0.33) determined by the Shubnikov–de Haas effect

B. El Jani, P. Gibart, J. C. Portal and R. L. Aulombard
Journal of Applied Physics 58 (9) 3481 (1985)
https://doi.org/10.1063/1.335771

Characterization of GaAs films grown by metalorganic chemical vapor deposition

V. Swaminathan, D. L. Van Haren, J. L. Zilko, P. Y. Lu and N. E. Schumaker
Journal of Applied Physics 57 (12) 5349 (1985)
https://doi.org/10.1063/1.334854

Photoluminescence and electrical properties of close space vapor transport GaAs epitaxial layers

J. Mimila-Arroyo, R. Legros, J. C. Bourgoin and F. Chavez
Journal of Applied Physics 58 (9) 3652 (1985)
https://doi.org/10.1063/1.335749