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Article cité :

Defects left after regrowth of amorphous silicon on crystalline Si : C (V) and DLTS studies

J. Castaing, T. Cass

Rev. Phys. Appl. (Paris), 20 1 (1985) 29-35

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200102900

Citations de cet article :

A new correlation method for improvement in selectivity of bulk trap measurements from capacitance and voltage transients

K. Dmowski
Review of Scientific Instruments 61 (4) 1319 (1990)
https://doi.org/10.1063/1.1141180

Defects and leakage currents in BF2-implanted preamorphized silicon

S. D. Brotherton, J. P. Gowers, N. D. Young, J. B. Clegg and J. R. Ayres
Journal of Applied Physics 60 (10) 3567 (1986)
https://doi.org/10.1063/1.337613