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Article cité :

The effect of γ-sterilization on the pH-ChemFET behaviour

I. Humenyuk, P. Temple-Boyer and G. Sarrabayrouse
Sensors and Actuators A: Physical 147 (1) 165 (2008)
https://doi.org/10.1016/j.sna.2008.05.022

Assessment of a new p-MOSFET usable as a doserate insensitive gamma dose sensor

F. Vettese, C. Donichak, P. Bourgeault and G. Sarrabayrouse
IEEE Transactions on Nuclear Science 43 (3) 991 (1996)
https://doi.org/10.1109/23.510745

The effect of gate-oxide process variations on the long-term fading of PMOS dosimeters

A. Kelleher, N. McDonnell, B. O'Neill, W. Lane and L. Adams
Sensors and Actuators A: Physical 37-38 370 (1993)
https://doi.org/10.1016/0924-4247(93)80063-M

Development of the radiation sensitivity of PMOS dosimeters

A. Kelleher, M. O'Sullivan, J. Ryan, B. O'Neill and W. Lane
IEEE Transactions on Nuclear Science 39 (3) 342 (1992)
https://doi.org/10.1109/23.277514