Etude et modélisation de la dégradation des transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique
Rev. Phys. Appl. (Paris), 21 5 (1986) 305-318
Article cité par
La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).
Article cité :
Citations de cet article :
Parameter extraction method for inhomogeneous MOSFETs locally damaged by hot carrier injection
Hisham S. Haddara and Sorin CristoloveanuSolid-State Electronics 31 (11) 1573 (1988)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(88)90003-2
The Physics and Technology of Amorphous SiO2
H. Haddara, S. Cristoloveanu, B. Boukriss, A. Chovet and P. JarronThe Physics and Technology of Amorphous SiO2 481 (1988)
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_61
Degradation of submicron MOSFETs after aging
B. Cabon and G. GhibaudoPhysica Status Solidi (a) 107 (1) 393 (1988)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211070143
Influence of hot-electron-induced aging on the dynamic conductance of short-channel MOSFETs
G. Ghibaudo and B. CabonSolid-State Electronics 30 (10) 1049 (1987)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(87)90098-0
Two-dimensional modeling of locally damaged short-channel MOSFET's operating in the linear region
H. Haddara and S. CristoloveanuIEEE Transactions on Electron Devices 34 (2) 378 (1987)
https://doi.org/10.1109/T-ED.1987.22933
TWO‐DIMENSIONAL MODELING AND PARAMETER EXTRACTION OF AGED MOSFETs
H. HADDARA and S. CRISTOLOVEANUCOMPEL - The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering 6 (2) 85 (1987)
https://doi.org/10.1108/eb010306