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Article cité :

Méthode DDLTS utilisant une détection synchrone : application au GaAs implanté en oxygène

A. Le Bloa, Dang Tran Quan, P.N. Favennec

Rev. Phys. Appl. (Paris), 21 8 (1986) 489-499

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01986002108048900

Citations de cet article :

FTDLTS: a novel isothermal DLTS method using Fourier transforms

A Le Bloa, Dang Tran Quan and Z Guennouni
Measurement Science and Technology 4 (3) 325 (1993)
https://doi.org/10.1088/0957-0233/4/3/011

Characteristics of Deep Electron Levels in Oxygen-Implanted and (Oxygen + Silicon) Co-Implanted n-GaAs

Dang Tran Quan, A. Le Bloa, Z. Guennouni and P. N. Favennec
Physica Status Solidi (a) 132 (1) 145 (1992)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211320115

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. I. Etude du phénomène de compensation

A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni and P.N. Favennec
Revue de Physique Appliquée 24 (10) 973 (1989)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010097300

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni and P.N. Favennec
Revue de Physique Appliquée 24 (10) 983 (1989)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010098300