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Article cité :

Electronic properties of grain boundaries in semiconductors

J.C. Bourgoin, A. Mauger, M. Lannoo

Rev. Phys. Appl. (Paris), 22 7 (1987) 579-583

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207057900

Citations de cet article :

Impact of the dangling bond defects and grain boundaries on trapping recombination process in polycrystalline 3C SiC

Dariya Savchenko, Vladimir Rodionov, Andrey Prokhorov, et al.
Journal of Alloys and Compounds 823 153752 (2020)
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.153752

Festkörperprobleme 34

J. H. Werner, R. Bergmann and R. Brendel
Advances in Solid State Physics, Festkörperprobleme 34 34 115 (1994)
https://doi.org/10.1007/BFb0107524

Determination of the electronic structure of grain boundaries by energy-resolved photoconductivity measurements

S. Pizzini, M. Acciarri, S. Binetti and S. Acerboni
Materials Science and Engineering: B 24 (1-3) 159 (1994)
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90319-0

Local investigation of recombination at grain boundaries in silicon by grain boundary-electron beam induced current

J. Palm
Journal of Applied Physics 74 (2) 1169 (1993)
https://doi.org/10.1063/1.354917