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Article cité :

α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

M. Secoue, B. Guenais, A. Guivarc'h

Rev. Phys. Appl. (Paris), 22 8 (1987) 845-850

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208084500

Citations de cet article :

Growth of RhGa on GaAs (001) in a molecular beam epitaxy system

A. Guivarc’h, M. Secoué and B. Guenais
Applied Physics Letters 52 (12) 948 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.99237

Growth of αRh2As on GaAs (001) in a molecular‐beam epitaxy system

A. Guivarcrsquo;h, M. Secoué, B. Guenais, et al.
Journal of Applied Physics 64 (2) 683 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.341961