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Be+ ion implantation in Ga0.96Al0.04Sb epitaxial layers
M. Pérotin, L. Gouskov, H. Luquet, P. Abiale Abi, A. Sabir and A. Pérez Journal of Applied Physics 68(8) 3856 (1990) https://doi.org/10.1063/1.346271
Reverse current and external quantum efficiency of zinc diffused 1.3-μm GaAlAsSb photodiodes
M. Mebarki, T. Belatoui, A. Joullie, B. Orsal and R. Alabedra Journal of Applied Physics 68(8) 4106 (1990) https://doi.org/10.1063/1.346250
Noise equivalent power calculation: Application to Ga0.96Al0.04Sb avalanche photodiodes
H. Luquet, L. Gouskov, M. Pérotin, A. Jean, D. Magallon, M. Lahbabi and G. Bougnot Journal of Applied Physics 64(11) 6541 (1988) https://doi.org/10.1063/1.342049