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Surface effect on the reverse current of Al x Ga1−x Sbp−n structures

O. V. Anisimov, V. P. Germogenov, L. S. Khludkova and O. V. Yurkovskii
Russian Physics Journal 42 (1) 38 (1999)
https://doi.org/10.1007/BF02508242

Improvement of dark current of Ga(A1)Sb mesa diodes using (NH4)2S treatment

M. Pérotin, P. Coudray, A. Etcheberry, et al.
Materials Science and Engineering: B 28 (1-3) 374 (1994)
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90086-8

Be+ ion implantation in Ga0.96Al0.04Sb epitaxial layers

M. Pérotin, L. Gouskov, H. Luquet, P. Abiale Abi, A. Sabir and A. Pérez
Journal of Applied Physics 68 (8) 3856 (1990)
https://doi.org/10.1063/1.346271

Reverse current and external quantum efficiency of zinc diffused 1.3-μm GaAlAsSb photodiodes

M. Mebarki, T. Belatoui, A. Joullie, B. Orsal and R. Alabedra
Journal of Applied Physics 68 (8) 4106 (1990)
https://doi.org/10.1063/1.346250

Noise equivalent power calculation: Application to Ga0.96Al0.04Sb avalanche photodiodes

H. Luquet, L. Gouskov, M. Pérotin, A. Jean, D. Magallon, M. Lahbabi and G. Bougnot
Journal of Applied Physics 64 (11) 6541 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.342049