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Article cité :

EL2 distribution in LEC GaAs ingots and wafers

M. Bonnet, N. Visentin, B. Gouteraux

Rev. Phys. Appl. (Paris), 23 5 (1988) 739-746

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305073900

Citations de cet article :

Nondestructive mapping of GaAs wafers from measurement of magnetoresistance effect using a novel microwave device

N. Belbounaguia, C. Druon, P. Tabourier and J.M. Wacrenier
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 43 (1) 24 (1994)
https://doi.org/10.1109/19.286350

Microwave device for non-destructive magnetoresistance measurement of semiconducting layers

C. Druon, N. Belbounaguia, P. Tabourier and J.M. Wacrenier
Materials Science and Engineering: B 20 (1-2) 203 (1993)
https://doi.org/10.1016/0921-5107(93)90428-P

The Nature of As‐related Defects in Semi‐Insulating GaAs Bulk Crystals

P. G. Mo, J. Wu, X. Q. Fan, et al.
Crystal Research and Technology 27 (3) 373 (1992)
https://doi.org/10.1002/crat.2170270315

Two-stage photoquenching in semi-insulating GaAs:EL2

V. Pandian and V. Kumar
Journal of Applied Physics 70 (9) 5114 (1991)
https://doi.org/10.1063/1.349021

Novel microwave device for nondestructive electrical characterization of semiconducting layers

C. Druon, P. Tabourier, N. Bourzgui and J. M. Wacrenier
Review of Scientific Instruments 61 (11) 3431 (1990)
https://doi.org/10.1063/1.1141597

Compensation mechanism in semi-insulating GaAs: The role of intrinsic acceptor defects

H. J. von Bardeleben, J. C. Bourgoin and D. Stievenard
Applied Physics Letters 53 (12) 1089 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.100030