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Article cité :

The effect of ultrasonic treatment on the energy spectrum of electron traps in n-GaAs single crystals

F. S. Gabibov, E. M. Zobov, M. E. Zobov, et al.
Technical Physics Letters 41 (4) 362 (2015)
https://doi.org/10.1134/S1063785015040239

Defect identification in semiconductors by Brewster angle spectroscopy

H. J. Lewerenz and N. Dietz
Journal of Applied Physics 73 (10) 4975 (1993)
https://doi.org/10.1063/1.353817