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Article cité :

Oscillations d'intensité RHEED liées aux mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M.

M. Nouaoura, C. Raisin, F.W.O. Da Silva, M. Dumas, L. Lassabatere

Rev. Phys. Appl. (Paris), 25 9 (1990) 915-921

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509091500

Citations de cet article :

Modification of GaSb(100) surfaces induced by annealing under vacuum and under Sb4 and As4 flux

M. Nouaoura, F.W.O. Da Silva, N. Bertru, et al.
Journal of Crystal Growth 172 (1-2) 37 (1997)
https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00741-5