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Citations de cet article :

Modeling the transient response of channel-substrate interface traps to gate voltage steps in GaAs FETs

N. Sengouga and B.K. Jones
Solid-State Electronics 36 (2) 229 (1993)
DOI: 10.1016/0038-1101(93)90145-G
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Substrate and interface effects in GaAs fet's

H. Tranduc, P. Rossel, J. Graffeuil, et al.
Revue de Physique Appliquée 13 (12) 655 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012065500
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Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

P. Rossel, H. Tranduc, J. Graffeuil, et al.
Revue de Physique Appliquée 13 (10) 503 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013010050300
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Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

M. Gamboa, G. Sarrabayrouse, H. Tranduc and P. Rossel
Revue de Physique Appliquée 15 (5) 973 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505097300
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Caractérisation de l'interface couche implantée substrat semi-isolant LEC GaAs

J.P. David, A. Roizes, M. Bonnet, N. Visentin and J. Icole
Revue de Physique Appliquée 18 (12) 751 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018012075100
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