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Article cité :

The true surface temperature of a silicon wafer and the related etch rate in a CF4 plasma

K.-M. Eisele

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 12 (1978) 701-703

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012070100

Citations de cet article :

Effects of ion bombardment and chemical reaction on wafer temperature during plasma etching

A. Durandet, O. Joubert, J. Pelletier and M. Pichot
Journal of Applied Physics 67 (8) 3862 (1990)
https://doi.org/10.1063/1.345009

Semiconductor Lithography

Wayne M. Moreau
Semiconductor Lithography 631 (1988)
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-0885-0_13

Kinetic studies of SF6 plasmas during etching of Si

Werner W. Brandt and John J. Wagner
Plasma Chemistry and Plasma Processing 3 (3) 329 (1983)
https://doi.org/10.1007/BF00564630