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Article cité :

Implications of the interface effects in the normally-off type GaAs MESFETs

G. Bert, G. Nuzillat

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 12 (1978) 771-775

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012077100

Citations de cet article :

Low pinch-off voltage f.e.t. logic (l.p.f.l.): I.s.i. oriented logic approach using quasinormally off GaAs m.e.s.f.e.t.s.

G. Nuzillat, F. Damay-Kavala, G. Bert and C. Arnodo
IEE Proceedings I Solid State and Electron Devices 127 (5) 287 (1980)
DOI: 10.1049/ip-i-1.1980.0056
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Evidence for acceptor surface states in GaAs planar-type devices

P. Dansas, M. Bouchemat, C. Bru, D. Pascal and S. Laval
Solid-State Electronics 31 (8) 1327 (1988)
DOI: 10.1016/0038-1101(88)90433-9
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Generation‐recombination‐induced nonlinear characteristics of solid‐state bipolar devices

W. I. Khan
Journal of Applied Physics 65 (12) 4891 (1989)
DOI: 10.1063/1.343204
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An E-Beam Fabricated GaAs D-Type Flip-Flop IC

M. Gloanec, G. Nuzillat, C. Arnodo and M. Peltier
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 28 (5) 472 (1980)
DOI: 10.1109/TMTT.1980.1130103
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Md. Mahmudur Rahman and Md. Toriqul Islam
506 (2012)
DOI: 10.1109/ICCITechn.2012.6509772
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