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Article cité :

Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

P. Rossel, M. Gamboa, H. Tranduc, H. Martinot

Rev. Phys. Appl. (Paris), 14 11 (1979) 911-919

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019790014011091100

Citations de cet article :

P. Rossel, H. Tranduc and G. Charitat
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https://doi.org/10.1109/ICMEL.1995.500891

MOS-Feldeffekttransistoren

Reinhold Paul
Halbleiter-Elektronik, MOS-Feldeffekttransistoren 21 324 (1994)
https://doi.org/10.1007/978-3-642-84836-0_4

A Semi-Classical Model for Simulating Inversion Carrier Transport in Si MOS Devices

Chu Hao, J. Zimmermann, M. Charef, R. Fauquembergue and E. Constant
Physica Status Solidi (a) 81 (2) 569 (1984)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210810220

On the influence of ionizing radiation on the electrical properties of short-channel MOS transistors

G. Sarrabayrouse, M. Gamboa, J. Buxo, et al.
Revue de Physique Appliquée 15 (5) 941 (1980)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001505094100

Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

M. Gamboa, G. Sarrabayrouse, H. Tranduc and P. Rossel
Revue de Physique Appliquée 15 (5) 973 (1980)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001505097300