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Article cité :

Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

P. Rossel, M. Gamboa, H. Tranduc, H. Martinot

Rev. Phys. Appl. (Paris), 14 11 (1979) 911-919

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019790014011091100

Citations de cet article :

A Semi-Classical Model for Simulating Inversion Carrier Transport in Si MOS Devices

Chu Hao, J. Zimmermann, M. Charef, R. Fauquembergue and E. Constant
Physica Status Solidi (a) 81 (2) 569 (1984)
DOI: 10.1002/pssa.2210810220
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On the influence of ionizing radiation on the electrical properties of short-channel MOS transistors

G. Sarrabayrouse, M. Gamboa, J. Buxo, et al.
Revue de Physique Appliquée 15 (5) 941 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505094100
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Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

M. Gamboa, G. Sarrabayrouse, H. Tranduc and P. Rossel
Revue de Physique Appliquée 15 (5) 973 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505097300
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MOS-Feldeffekttransistoren

Reinhold Paul
Halbleiter-Elektronik, MOS-Feldeffekttransistoren 21 324 (1994)
DOI: 10.1007/978-3-642-84836-0_4
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