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Citations de cet article :

The Effect of Back Inversion Channel and Electrically Active Defects on the Nonequilibrium Characteristics of SOS MOS Structures

M. A. Demyanenko
physica status solidi (a) 117 (2) 601 (1990)
DOI: 10.1002/pssa.2211170233
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Silicon films on sapphire

S Cristoloveanu
Reports on Progress in Physics 50 (3) 327 (1987)
DOI: 10.1088/0034-4885/50/3/002
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