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Article cité :

Caractéristiques électriques de diodes Au-Si(N) réalisées après irradiation par laser

J.P. Ponpon, E. Buttung, P. Siffert

Rev. Phys. Appl. (Paris), 17 10 (1982) 687-692

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019820017010068700

Citations de cet article :

Passivation of laser induced defects in silicon by low energy hydrogen ion implantation

A. Slaoui, A. Barhdadi, J. C. Muller and P. Siffert
Applied Physics A Solids and Surfaces 39 (3) 159 (1986)
https://doi.org/10.1007/BF00620729

Time-resolved reflectivity and melting depth measurements using pulsed ruby laser on silicon

M. Toulemonde, S. Unamuno, R. Heddache, et al.
Applied Physics A Solids and Surfaces 36 (1) 31 (1985)
https://doi.org/10.1007/BF00616457

Modifications des caractéristiques électriques de contacts métal-silicium par bombardement d'ions argon de faible énergie

A. Chouiyakh and B. Lang
Revue de Physique Appliquée 19 (12) 971 (1984)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019012097100