Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme strong>CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Citations de cet article :

Hydrogen neutralization of dopant in p-type Ga0.47In0.53As

B. Theys, A. Jalil, J. Chevallier, et al.
Physica B: Condensed Matter 170 (1-4) 421 (1991)
DOI: 10.1016/0921-4526(91)90156-9
Voir cet article

Magnesium doping in InAlAs and InGaAs/Mg films lattice-matched to InP grown by MOVPE

Maher Ezzedini, Larbi Sfaxi and Ridha M’Ghaieth
Journal of Nanoparticle Research 19 (1) (2017)
DOI: 10.1007/s11051-016-3713-6
Voir cet article

Chemical beam epitaxy of Ga0.47In0.53As/InP quantum wells and heterostructure devices

W.T. Tsang
Journal of Crystal Growth 81 (1-4) 261 (1987)
DOI: 10.1016/0022-0248(87)90402-7
Voir cet article

Quasi‐donor‐acceptor pair photoluminescence emission in GaxIn1−xAs/InP

P. W. Yu, C. K. Peng and H. Morkoç
Journal of Applied Physics 65 (6) 2427 (1989)
DOI: 10.1063/1.342811
Voir cet article

Epitaxial growth of InP and related alloys

B.L. Sharma
Progress in Crystal Growth and Characterization 12 (1-4) 295 (1986)
DOI: 10.1016/0146-3535(86)90014-6
Voir cet article

Alloy broadening in photoluminescence spectra of Ga0.47In0.53As

C. Charreaux, G. Guillot and A. Nouailhat
Journal of Applied Physics 60 (2) 768 (1986)
DOI: 10.1063/1.337427
Voir cet article

Photoluminescence studies of GaxIn1−xAsyP1−y lattice-matched to InP

Claudine Charreaux, Gérard Guillot, Alain Nouailhat, Daniel Huet and Marc Lambert
Physica B+C 129 (1-3) 413 (1985)
DOI: 10.1016/0378-4363(85)90613-8
Voir cet article

Effect of oxygen on In0.53Ga0.47As films grown by molecular beam epitaxy

R. A. Stall, R. J. Wunder, V. Swaminathan and H. M. Cox
Applied Physics Letters 47 (5) 518 (1985)
DOI: 10.1063/1.96112
Voir cet article

Beam Processing Technologies

W.T. Tsang
VLSI Electronics Microstructure Science, Beam Processing Technologies 21 255 (1989)
DOI: 10.1016/B978-0-12-234121-2.50011-5
Voir cet article

Hydrogen in Semiconductors

B. Theys, A. Jalil, J. Chevallier, et al.
Hydrogen in Semiconductors 421 (1991)
DOI: 10.1016/B978-0-444-89138-9.50058-9
Voir cet article

Spectroscopic ellipsometry and electrical characterizations of InGaAs:Mg thin films lattice matched to InP

I. Zeydi, M. Ezzedini, A. Sayari, et al.
The European Physical Journal Plus 131 (6) (2016)
DOI: 10.1140/epjp/i2016-16189-0
Voir cet article

Chemical beam epitaxial growth of extremely high quality InGaAs on InP

W. T. Tsang, A. H. Dayem, T. H. Chiu, et al.
Applied Physics Letters 49 (3) 170 (1986)
DOI: 10.1063/1.97214
Voir cet article