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Article cité :
A. Marbeuf , J.C. Guillaume
Rev. Phys. Appl. (Paris), 19 4 (1984) 311-318
Citations de cet article :
8 articles
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Croissance par épitaxie en phase liquide et caractérisation d'alliages Ga1-xIoxAsySb1-y à paramètre de maille accordé sur celui de GaSb
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LPE growth of GaInAsSb/GaSb system: The importance of the sign of the lattice mismatch
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Low temperature phase diagram of the Ga1−xInxAsySb1−y system
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Consistent approach of II–VI equilibrium phase diagrams: Application to Zn-Se, Cd-Te, Hg-Te and Cd-Hg-Te systems
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