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Citations de cet article :

Determination of the roughness of heteroboundaries from photocurrent spectra of short-period AlAs/GaAs superlattices

V. L. Al’perovich, N. T. Moshegov, V. V. Popov, et al.
Physics of the Solid State 39 (11) 1864 (1997)
DOI: 10.1134/1.1130189
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Optical determination of the AlxGa1-xAs energy gap variation versus the Al concentration in MBE-grown samples

B Lambert, J Caulet, A Regreny, et al.
Semiconductor Science and Technology 2 (8) 491 (1987)
DOI: 10.1088/0268-1242/2/8/003
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Characterization of MOCVD Grown (Al, Ga)As/GaAs Single Quantum Well Structures by Rutherford Backscattering and Photoluminescence Spectroscopy

R. Flagmeyer, G. Oelgart, K. Kreher, et al.
Physica Status Solidi (a) 111 (2) 541 (1989)
DOI: 10.1002/pssa.2211110219
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Surface segregation in III–V alloys

J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, et al.
Journal of Crystal Growth 111 (1-4) 141 (1991)
DOI: 10.1016/0022-0248(91)90962-5
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Investigation of (AlGa)As/GaAs quantum wells by optical and phototransport measurements

C. Ghezzi, D. Martin, A. Parisini, J. L. Staehli and L. Tarricone
physica status solidi (b) 152 (1) 101 (1989)
DOI: 10.1002/pssb.2221520111
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Structural features of MBE grown very short period GaAs-AlAs superlattices

B. Guenais, A. Poudoulec, P. Auvray, et al.
Journal of Crystal Growth 88 (1) 125 (1988)
DOI: 10.1016/S0022-0248(98)90014-8
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Differential spectroscopy of GaAs-Ga1−xAlxAs quantum wells: An unambiguous identification of light-hole and heavy-hole states

H. Mathieu, P. Lefebvre, J. Allegre, B. Gil and A. Regreny
Physical Review B 36 (12) 6581 (1987)
DOI: 10.1103/PhysRevB.36.6581
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The use of superlattices as internal standards for composition and thickness measurements in modulation-doped quantum well structures

P. Auvray, M. Baudet, A. Poudoulec, C. Guillemot and A. Regreny
Journal of Crystal Growth 102 (4) 939 (1990)
DOI: 10.1016/0022-0248(90)90864-H
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