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Citations de cet article :

Local investigation of recombination at grain boundaries in silicon by grain boundary‐electron beam induced current

J. Palm
Journal of Applied Physics 74 (2) 1169 (1993)
DOI: 10.1063/1.354917
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Determination of the electronic structure of grain boundaries by energy-resolved photoconductivity measurements

S. Pizzini, M. Acciarri, S. Binetti and S. Acerboni
Materials Science and Engineering: B 24 (1-3) 159 (1994)
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Impact of the dangling bond defects and grain boundaries on trapping recombination process in polycrystalline 3C SiC

Dariya Savchenko, Vladimir Rodionov, Andrey Prokhorov, et al.
Journal of Alloys and Compounds 823 153752 (2020)
DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.153752
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Festkörperprobleme 34

J. H. Werner, R. Bergmann and R. Brendel
Advances in Solid State Physics, Festkörperprobleme 34 34 115 (1994)
DOI: 10.1007/BFb0107524
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