Role of oxygen in surface segregation of metal impurities in silicon poly-and bicrystals
Rev. Phys. Appl. (Paris), 22 7 (1987) 663-669
Article cité par
La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).
Article cité :
Citations de cet article :
Main defect reactions behind phosphorus diffusion gettering of iron
Jonas Schön, Ville Vähänissi, Antti Haarahiltunen, et al.Journal of Applied Physics 116 (24) (2014)
https://doi.org/10.1063/1.4904961
On the investigation of dopant boundaries in silicon device structures by means of SEM‐EBIC
W. Hoppe and M. KittlerCrystal Research and Technology 24 (1) 65 (1989)
https://doi.org/10.1002/crat.2170240114