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Citations de cet article :

Hydrogen solubility inn‐type silicon doped GaAs and its effects on the material electronic quality

N. Caglio, E. Constant, J. C. Pesant and J. Chevallier
Journal of Applied Physics 69 (3) 1345 (1991)
DOI: 10.1063/1.347270
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Passivation of III-V Semiconductor Surfaces Using Light Assisted Integrated Processes

Olivier Dulac and Yves I. Nissim
MRS Proceedings 342 (1994)
DOI: 10.1557/PROC-342-261
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Integration of plasma cleaning and light-assisted CVD for the passivation of III–V semiconductor surfaces

Olivier Dulac and Yves I. Nissim
Microelectronic Engineering 25 (2-4) 265 (1994)
DOI: 10.1016/0167-9317(94)90025-6
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Hydrogen in Semiconductors

J. Chevallier, B. Clerjaud and B. Pajot
Semiconductors and Semimetals, Hydrogen in Semiconductors 34 447 (1991)
DOI: 10.1016/S0080-8784(08)62868-9
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Shallow donors andD‐Xcenters neutralization by atomic hydrogen in GaAlAs doped with silicon

R. Mostefaoui, J. Chevallier, A. Jalil, et al.
Journal of Applied Physics 64 (1) 207 (1988)
DOI: 10.1063/1.341464
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