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Citations de cet article :

Band diagram of a HgTe‐CdTe semimetal‐semiconductor abrupt heterostructure

L. Djaloshinski, D. Goren and Y. Nemirovsky
Journal of Applied Physics 73 (9) 4473 (1993)
DOI: 10.1063/1.352787
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Properties of metal‐organic chemical‐vapor‐deposition mercury telluride contacts onp‐type cadmium telluride

G. Asa and Y. Nemirovsky
Journal of Applied Physics 77 (9) 4417 (1995)
DOI: 10.1063/1.359469
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Low Resistance Contacts to p-CulnSe2 and p-CdTe Crystals

M. K. Rabinal, I. Lyubomirsky, E. Pekarskaya, V. Lyakhovitskaya and David Cahen
Journal of Electronic Materials 26 (8) 893 (1997)
DOI: 10.1007/s11664-997-0270-x
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Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE Cd x Hg1 − x Te film

V. A. Novikov and D. V. Grigoryev
Semiconductors 49 (3) 309 (2015)
DOI: 10.1134/S106378261503015X
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Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

V. A. Novikov, D. V. Grigoryev, D. A. Bezrodnyy and S. A. Dvoretsky
Applied Physics Letters 105 (10) 102107 (2014)
DOI: 10.1063/1.4895573
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Narrow-gap II–VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications

Y. Nemirovsky and N. Amir
Narrow-gap II–VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications 291 (1997)
DOI: 10.1007/978-1-4613-1109-6_10
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