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Article cité :

EL2 family in LEC and HB GaAs

Y. Mochizuki, T. Ikoma

Rev. Phys. Appl. (Paris), 23 5 (1988) 747-763

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305074700

Citations de cet article :

Defect identification in semiconductors by Brewster angle spectroscopy

H. J. Lewerenz and N. Dietz
Journal of Applied Physics 73 (10) 4975 (1993)
DOI: 10.1063/1.353817
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Native defects in gallium arsenide

J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben and D. Stiévenard
Journal of Applied Physics 64 (9) R65 (1988)
DOI: 10.1063/1.341206
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EL2 related deep traps in semi‐insulating GaAs

U. V. Desnica, Dunja I. Desnica and B. Šantić
Applied Physics Letters 58 (3) 278 (1991)
DOI: 10.1063/1.104660
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Electric-Field-Enhanced Emission from a Discrete Energy Level at the GaAs–Oxide Interface

I. Thurzo, V. Nádaždy and E. Pinčík
physica status solidi (a) 122 (1) 275 (1990)
DOI: 10.1002/pssa.2211220126
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Characteristics of Deep Electron Levels in Oxygen-Implanted and (Oxygen + Silicon) Co-Implanted n-GaAs

Dang Tran Quan, A. Le Bloa, Z. Guennouni and P. N. Favennec
Physica Status Solidi (a) 132 (1) 145 (1992)
DOI: 10.1002/pssa.2211320115
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Characterisation of deep electron states in LEC grown GaAs material

T Hashizume and H Nagabuchi
Semiconductor Science and Technology 4 (6) 427 (1989)
DOI: 10.1088/0268-1242/4/6/002
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