Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme strong>CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Citations de cet article :

Defect identification in semiconductors by Brewster angle spectroscopy

H. J. Lewerenz and N. Dietz
Journal of Applied Physics 73 (10) 4975 (1993)
DOI: 10.1063/1.353817
Voir cet article

Native defects in gallium arsenide

J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben and D. Stiévenard
Journal of Applied Physics 64 (9) R65 (1988)
DOI: 10.1063/1.341206
Voir cet article

EL2 related deep traps in semi‐insulating GaAs

U. V. Desnica, Dunja I. Desnica and B. Šantić
Applied Physics Letters 58 (3) 278 (1991)
DOI: 10.1063/1.104660
Voir cet article

Electric-Field-Enhanced Emission from a Discrete Energy Level at the GaAs–Oxide Interface

I. Thurzo, V. Nádaždy and E. Pinčík
physica status solidi (a) 122 (1) 275 (1990)
DOI: 10.1002/pssa.2211220126
Voir cet article

Characteristics of Deep Electron Levels in Oxygen-Implanted and (Oxygen + Silicon) Co-Implanted n-GaAs

Dang Tran Quan, A. Le Bloa, Z. Guennouni and P. N. Favennec
Physica Status Solidi (a) 132 (1) 145 (1992)
DOI: 10.1002/pssa.2211320115
Voir cet article

Characterisation of deep electron states in LEC grown GaAs material

T Hashizume and H Nagabuchi
Semiconductor Science and Technology 4 (6) 427 (1989)
DOI: 10.1088/0268-1242/4/6/002
Voir cet article