EL2 family in LEC and HB GaAs
Rev. Phys. Appl. (Paris), 23 5 (1988) 747-763
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Citations de cet article :
Deep-Level Transient Spectroscopy of GaAs Nanoridge Diodes Grown on Si Substrates
O. Syshchyk, B. Hsu, H. Yu, et al.Physical Review Applied 14 (2) (2020)
https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.024093
Defect identification in semiconductors by Brewster angle spectroscopy
H. J. Lewerenz and N. DietzJournal of Applied Physics 73 (10) 4975 (1993)
https://doi.org/10.1063/1.353817
Characteristics of Deep Electron Levels in Oxygen-Implanted and (Oxygen + Silicon) Co-Implanted n-GaAs
Dang Tran Quan, A. Le Bloa, Z. Guennouni and P. N. FavennecPhysica Status Solidi (a) 132 (1) 145 (1992)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211320115
EL2 related deep traps in semi-insulating GaAs
U. V. Desnica, Dunja I. Desnica and B. ŠantićApplied Physics Letters 58 (3) 278 (1991)
https://doi.org/10.1063/1.104660
Electric-Field-Enhanced Emission from a Discrete Energy Level at the GaAs–Oxide Interface
I. Thurzo, V. Nádaždy and E. Pinčíkphysica status solidi (a) 122 (1) 275 (1990)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211220126
Characterisation of deep electron states in LEC grown GaAs material
T Hashizume and H NagabuchiSemiconductor Science and Technology 4 (6) 427 (1989)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/4/6/002
Native defects in gallium arsenide
J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben and D. StiévenardJournal of Applied Physics 64 (9) R65 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.341206