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Citations de cet article :

Defect identification in semiconductors by Brewster angle spectroscopy

H. J. Lewerenz and N. Dietz
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Diffusion effects at PtGaAs interfaces

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Absence of a persistent photocurrent in undoped semi-insulating Bridgman GaAs containingEL2 and carbon

W. C. Mitchel
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Effect of optical and thermal stimulation on GaAs photosensitivity

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The effect of ultrasonic treatment on the energy spectrum of electron traps in n-GaAs single crystals

F. S. Gabibov, E. M. Zobov, M. E. Zobov, et al.
Technical Physics Letters 41 (4) 362 (2015)
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Characterisation of deep electron states in LEC grown GaAs material

T Hashizume and H Nagabuchi
Semiconductor Science and Technology 4 (6) 427 (1989)
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