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Citations de cet article :

Prediction of dielectric reliability from I–V characteristics: Poole–Frenkel conduction mechanism leading to √E model for silicon nitride MIM capacitor

K.-H. Allers
Microelectronics Reliability 44 (3) 411 (2004)
DOI: 10.1016/j.microrel.2003.12.007
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The problem of deriving the field-induced thermal emission in Poole-Frenkel theories

R. Ongaro and A. Pillonnet
Radiation Effects and Defects in Solids 124 (3) 289 (1992)
DOI: 10.1080/10420159208220202
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Observation of Poole–Frenkel effect saturation in SiO2 and other insulating films

W.R. Harrell and J. Frey
Thin Solid Films 352 (1-2) 195 (1999)
DOI: 10.1016/S0040-6090(99)00344-2
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Implications of advanced modeling on the observation of Poole–Frenkel effect saturation

W.R. Harrell and C. Gopalakrishnan
Thin Solid Films 405 (1-2) 205 (2002)
DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01752-7
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Charge Transport Mechanisms in a Pb2P2Se6 Semiconductor

Svetlana S. Kostina, Micah P. Hanson, Peng L. Wang, et al.
ACS Photonics 3 (10) 1877 (2016)
DOI: 10.1021/acsphotonics.6b00396
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Failure of Arrhenius plots for investigation of localized levels

R. Ongaro and A. Pillonnet
Revue de Physique Appliquée 25 (2) 209 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002502020900
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