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Citations de cet article :

Optical investigation in ultrathin InAs/InP quantum wells grown by hydride vapor‐phase epitaxy

H. Banvillet, E. Gil, R. Cadoret, et al.
Journal of Applied Physics 70 (3) 1638 (1991)
DOI: 10.1063/1.349529
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Selective epitaxial growth of GaAs tips for local spin injector applications

R.M. Ramdani, E. Gil, Y. Andre, et al.
Journal of Crystal Growth 306 (1) 111 (2007)
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.03.024
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Kinetic expression and study of the growth rate of mismatched structures grown by hydride vapour phase epitaxy

E. Gil-Lafon, N. Piffault and R. Cadoret
Journal of Crystal Growth 151 (1-2) 80 (1995)
DOI: 10.1016/0022-0248(95)00023-2
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Direct condensation modelling for a two-particle growth system: application to GaAs grown by hydride vapour phase epitaxy

E Gil-Lafon, J Napierala, A Pimpinelli, et al.
Journal of Crystal Growth 258 (1-2) 14 (2003)
DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01311-3
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Epitaxial growth and kinetic study of mismatched (Ga,In) As/InP layers grown by hydride vapour phase epitaxy

N. Piffault, E. Gil, J. Leymaire, et al.
Journal of Crystal Growth 135 (1-2) 11 (1994)
DOI: 10.1016/0022-0248(94)90720-X
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Epitaxial growth of InP/InAs/InP quantum wells

M. Mihailovic, M. Cadoret, H. Banvillet, E. Gil and R. Cadoret
Superlattices and Microstructures 8 (2) 175 (1990)
DOI: 10.1016/0749-6036(90)90086-M
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Kinetic processes in epitaxy of Gaxn1−xAs on InP(100) by hydride vapour phase epitaxy

M. Cadoret, L. Chaput, H. Banvillet, et al.
Thin Solid Films 192 (2) 343 (1990)
DOI: 10.1016/0040-6090(90)90078-R
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Selective growth of GaAs by HVPE: keys for accurate control of the growth morphologies

E Gil-Lafon, J Napierala, D Castelluci, et al.
Journal of Crystal Growth 222 (3) 482 (2001)
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00961-1
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