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Citations de cet article :

Highly selective SiO2/Si reactive ion beam etching withlow energy fluorocarbon ions

E. Collard, C. Lejeune, J.P. Grandchamp, J.P. Gilles and P. Scheiblin
Thin Solid Films 193-194 100 (1990)
DOI: 10.1016/S0040-6090(05)80017-3
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CF incorporated overlayer growth on silicon exposed to a d.c.-excited CF4 plasma

C Lejeune, E Collard, J.P Grandchamp, P Scheiblin and J.P Gilles
Thin Solid Films 193-194 1008 (1990)
DOI: 10.1016/0040-6090(90)90256-D
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Incidence Angle Dependence of the Silicon Near-Surface Contamination Caused by CF4 Reactive Ion Beam Etching

C. Lejeune, J.P. Grandchamp, J.P. Gilles and E. Collard
MRS Proceedings 190 (1990)
DOI: 10.1557/PROC-190-317
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Chemical physics of fluorine plasma‐etched silicon surfaces: Study of surface contaminations

P. Brault, P. Ranson, H. Estrade‐Szwarckopf and B. Rousseau
Journal of Applied Physics 68 (4) 1702 (1990)
DOI: 10.1063/1.346625
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Characterization and growth mechanisms of boron nitride films synthesized by ion‐beam‐assisted deposition

O. Burat, D. Bouchier, V. Stambouli and G. Gautherin
Journal of Applied Physics 68 (6) 2780 (1990)
DOI: 10.1063/1.347173
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Electron-and ion-assisted silicon surface chemistry in a DC-excited CHF3plasma

C Lejeune, Ch Cardinaud, E Collard, J P Grandchamp and G Turban
Journal of Physics D: Applied Physics 24 (6) 887 (1991)
DOI: 10.1088/0022-3727/24/6/013
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