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Article cité :

Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs

A. Rocher, F.W.O. Da Silva, C. Raisin

Rev. Phys. Appl. (Paris), 25 9 (1990) 957-961

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509095700

Citations de cet article :

Solving Interface Structures by Combined Electron Microscopy and X-Ray Diffraction

A. Bourret and G. Feuillet
MRS Proceedings 295 (1992)
DOI: 10.1557/PROC-295-71
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Lomer Dislocations in (0 0 1) GaSb/GaAs Heterostructure.

André M. Rocherj, Joon M. Kang and Anne Ponchet
MRS Proceedings 238 (1991)
DOI: 10.1557/PROC-238-91
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Atomic structure of an unusual linear defect at the (001)InAs/(001)GaAs epitaxial interface

M. Loubradou, Roland Bonnet and F. R. Chen
Surface and Interface Analysis 30 (1) 616 (2000)
DOI: 10.1002/1096-9918(200008)30:1<616::AID-SIA714>3.0.CO;2-4
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Optical properties of GaSbAlSb heterostructures grown by molecular beam epitaxy

B. Lambert, Y. Toudic, Y. Rouillard, et al.
Materials Science and Engineering: B 21 (2-3) 185 (1993)
DOI: 10.1016/0921-5107(93)90345-N
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Topographic effect of the misfit dislocation dissociation in threefold symmetry epitaxial systems

R. Bonnet
Philosophical Magazine A 79 (8) 1909 (1999)
DOI: 10.1080/01418619908210399
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HRPACK: a software describing the elastic fields near dislocations and interfaces at atomic scale

Roland Bonnet and Marc Loubradou
Ultramicroscopy 69 (4) 241 (1997)
DOI: 10.1016/S0304-3991(97)00048-X
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GaSb/GaAs heteroepitaxy characterized as a stress-free system

Claude Raisin, André Rocher, Georges Landa, Robert Carles and Louis Lassabatere
Applied Surface Science 50 (1-4) 434 (1991)
DOI: 10.1016/0169-4332(91)90213-4
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Electron Microscopy of Nanoledges at the (001)InAs/(001)GaAs Interface for an Approximate Orientation Relationship

S. Ben Youssef, M. Fnaiech, F. R. Chen, M. Loubradou and R. Bonnet
physica status solidi (a) 174 (2) 403 (1999)
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199908)174:2<403::AID-PSSA403>3.0.CO;2-2
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X-Ray Diffraction From Buried GaAs/GaSb Interfaces

Alain Bourret, P. H. Fuoss, A. Rocher and C. Raisin
MRS Proceedings 208 303 (1990)
DOI: 10.1557/PROC-208-303
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Semiconductor Materials for Optoelectronics and LTMBE Materials, PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM A ON SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR OPTOELECTRONIC DEVICES, OEICS AND PHOTONICS AND SYMPOSIUM B ON LOW TEMPERATURE MOLECULAR BEAM EPITAXIAL III–V MATERIALS: PHYSICS AND APPLICATIONS OF THE 1993 E-MRS SPRING CONFERENCE

B. Lambert, Y. Toudic, Y. Rouillard, et al.
European Materials Research Society Symposia Proceedings, Semiconductor Materials for Optoelectronics and LTMBE Materials, PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM A ON SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR OPTOELECTRONIC DEVICES, OEICS AND PHOTONICS AND SYMPOSIUM B ON LOW TEMPERATURE MOLECULAR BEAM EPITAXIAL III–V MATERIALS: PHYSICS AND APPLICATIONS OF THE 1993 E-MRS SPRING CONFERENCE 40 185 (1993)
DOI: 10.1016/B978-0-444-81769-3.50020-6
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Determination of the Sb composition profile in MBE-grown GaSb/GaAs structures by high-resolution X-ray diffractometry

O. Brandt, E. Tournié, L. Tapfer and K. Ploog
Journal of Crystal Growth 127 (1-4) 503 (1993)
DOI: 10.1016/0022-0248(93)90670-R
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Structure of GaAs=GaSb incoherent interface after epitaxial growth

A. Bourret and P. H. Fuoss
Applied Physics Letters 61 (9) 1034 (1992)
DOI: 10.1063/1.107707
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High reflectivity 1.55 μm (Al)GaSb/AlSb Bragg mirror grown by molecular beam epitaxy

B. Lambert, Y. Toudic, Y. Rouillard, et al.
Applied Physics Letters 64 (6) 690 (1994)
DOI: 10.1063/1.111035
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A Biperiodic Network of Misfit Dislocations in a Thin Bicrystalline Foil

R. Bonnet
physica status solidi (a) 180 (2) 487 (2000)
DOI: 10.1002/1521-396X(200008)180:2<487::AID-PSSA487>3.0.CO;2-Y
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On the formation of edge dislocations in InxGa1−xAs/GaAs heterostructures withx< 0·20

C. Ulhaq-Bouillet and A. Lefebvre
Philosophical Magazine A 68 (6) 1273 (1993)
DOI: 10.1080/01418619308222931
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Couche épitaxique mince sur un substrat semi-infini: Role du désaccord paramétrique et de l'épaisseur sur les distortions élastiques

R. Bonnet and J. L. Verger-Gaugry
Philosophical Magazine A 66 (5) 849 (1992)
DOI: 10.1080/01418619208201594
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