Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni et P.N. FavennecRev. Phys. Appl. (Paris), 24 10 (1989) 983-991DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010098300
