Revue de Physique Appliquée

Trap characterization in S. O. S. - M. O. S. transistors using noise measurements

A. Touboul, G. Pelloux, G. Lecoy, A.A. Choujaa et P. Gentil

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 5 (1978) 227-231

DOI: 10.1051/rphysap:01978001305022700

A. Touboul

G. Pelloux

G. Lecoy

A.A. Choujaa

P. Gentil

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