Approche théorique de la cinétique de croissance des dépôts épitaxiés d'arséniure de gallium par CVD-OM et confrontation avec les résultats expérimentaux
Rev. Phys. Appl. (Paris), 14 10 (1979) 875-886
DOI: 10.1051/rphysap:019790014010087500