Revue de Physique Appliquée

Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

P. Rossel, M. Gamboa, H. Tranduc et H. Martinot

Rev. Phys. Appl. (Paris), 14 11 (1979) 911-919

DOI: 10.1051/rphysap:019790014011091100

P. Rossel

M. Gamboa

H. Tranduc

H. Martinot

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