Revue de Physique Appliquée

Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

E. Caquot, G. Guegan, M. Gamboa, H. Tranduc et P. Rossel

Rev. Phys. Appl. (Paris), 15 9 (1980) 1445-1450

DOI: 10.1051/rphysap:019800015090144500

E. Caquot

G. Guegan

M. Gamboa

H. Tranduc

P. Rossel

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